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Spitzenprodukte der Hochfrequenztechnik und optischen Übertragungstechnik

Streifenleiter-Diplexer für DC bis 7,5 GHz von Mini-Circuits
  • Geringe Einfügedämpfung
  • Hohe Rückflussdämpfung von 20 dB typ.
  • Eingangsleistung bis 3 W
  • Betriebstemperatur von -40 bis +85°C
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Eine neue Klasse von patentierten hochleistungs HF-Combinern mit extrem hoher Belastbarkeit
  • Höhere CW-Leistung und höhere Duty-Cycle
  • Hohe Leistungsdichte und geringe Verluste
  • Platzsparende, planare Struktur
  • Ideal für S-, C-, X-, Ku- und Ka-Bänder
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2-Wege-Splitter/Combiner für 2 bis 65 GHz von Mini-Circuits
  • Sehr große Bandbreite: 2 bis 65 GHz
  • Niedrige Einfügedämpfung von 1,2 dB typ.
  • Geringe Unsymmetrie nur 0,1 dB typ.
  • Für Leistungen bis max. 12 W
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Koaxial-Hochpassfilter von Mini-Circuits mit Sperrbereich von DC bis 8.7 GHz
  • Durchlassbereich 11,6 GHz bis 30 GHz
  • Durchlassbereich bis 18,3 GHz
  • Reflektionsfrei
  • Kaskadierbar
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Neuer 80x60 Thermodioden-Infrarotsensor von Mitsubishi
  • 80x60 Pixel Auflösung
  • Blickfeld von 78°x53°
  • 100mK thermische Auflösung
  • Baugröße 19.5×13.5×9.5mm
  • SPI Interface
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Knowles veröffentlicht Whitepaper über Hochvolt MLCCs und EMV Filter für Elektrofahrzeuge

Vorgestellt werden AEC-Q200 qualifizierte Kondensatoren zur Filterung bis 4kV für Anwendungen wie:

  • Batteriemanagementsysteme
  • Inverter
  • DC/DC Konverter
  • PTC Heizungscontroller
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Präzisions VNA-Kabel für bis zu 67 GHz von Mini-Circuits

⦁    Vector Network Analyzer (VNA) Test-Kabel für 5G-Anwendungen von DC bis 67 GHz
⦁    Extrem geringe Einfügedämpfung
⦁    Lange Lebensdauer durch extra robuste Konstruktion, quetsch- und drehmomentfest
⦁    Hervorragende Rückflussdämpfung
⦁    Aktuell in 3 Längen erhältlich (1M, 2ft, 3ft)

 

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Kyosemi präsentiert branchenweit kleinste SMD Si-InGaAs-Fotodiode mit breitem Empfindlichkeitsbereich von 400nm bis 1700nm
  • Empfindlichkeitsbereich: 400-1700nm
  • kompaktes SMD Bauteil: 5.7x4x1.1mm
  • aktive Flächen:   Si: 2.2x2.2mm2    InGaAs 0.86x0.86mm2
  • geringer Dunkelstrom: Si: 0.1nA    InGaAs: 1nA
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